Le fabricant de mémoires Micron annonce une nouvelle génération de NAND 3D avec 176 couches apportant des gains de performance et de densité.  Micron commence à livrer ses mémoires Flash NAND de 5ème génération avec une nouvelle technologie à 176 couches qui représente la seconde génération d’architecture à grille de remplacement qui combine piégeages de charge et architecture CuA. CMOS under the Array consiste à assembler la pile multicouche sur le circuit logique de la puce, ce qui permet d’augmenter la mémoire disponible dans un espace plus restreint et de réduire considérablement la taille des puces NAND 176 couches. Par rapport à la précédente génération de NAND 3D haut volume de la société, la NAND 176 couches de Micron améliore la latence de lecture et d’écriture de plus de 35 %, ce qui accélère considérablement les performances des applications. La cinquième génération de NAND 3D de Micron se caractérise également par un taux de transfert de données maximum inégalé de 1600 mégatransferts par seconde (MT/s) sur le bus ONFI (Open NAND Flash Interface), soit une amélioration de 33 %. L’augmentation de la vitesse de l’ONFI permet un démarrage du système et des performances des applications plus rapides. Dans les applications automobiles, cette vitesse permet d’obtenir des temps de réponse quasi instantanés pour les systèmes embarqués du fait de sa conception très compacte. Micron va déployer cette technologie dans toute sa gamme de produits où la NAND est utilisée en visant les marchés de la 5G, de l’intelligence artificielle et le Edge Computing. Les mémoires sont en fabrication à grande échelle sur son site de Singapour et sont livrées aux clients par les lignes de produits Crucial. D’autres produits vont suivre dès l’année prochaine.